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由于半導體器件體積小、重量輕、壽命長、功率損耗小、機械性能好.因而適用的范閘極廣。然而半導體器件的性能和穩定性在很大程度上受它表面的微觀狀態的影響。一般在半導體器件試制和生產過程巾包括了切割、研磨、拋光以及各種化學試劑處理等一系列工廳，~正是在這些過程巾，會造成表面的結構發生驚人的變化，所以幾乎每一個步驟都需要對擴散進行檢測.深度進行測繭或者直接看到擴散區的實際分布情況，而生產大型集成電路就更是如此。目前.臺式掃電鏡在半導體中的應用已經深入到許多方面。臺式電鏡SEM質量監控與...

高溫環境XRD主要應用于樣品的物相定性或定量分析，晶體結構分析，材料的織構分析，宏觀應力或微觀應力的測定，晶粒大小測定，結晶度測定等等，因此，在材料科學、物理學、化學、化工、冶金、礦物、藥物、塑料、建材、陶瓷……以至考古、刑偵、商檢等眾多學科、相關的工業、行業中都有重要的應用。是理工科院校和涉及材料研究、生產的研究部門、廠礦的重要的大型分析設備。高溫環境XRD基本構成包括：高穩定度X射線發生器，精密測角臺，X射線強度測量系統，安裝有專用軟件的計算機系統等四大部分。按其X射線發...

鎢燈絲電鏡成像所用的物理信號是電子束轟擊固體樣品而激發產生的。具有一定能量的電子，當其入射固體樣品時，將與樣品內原子核和核外電子發生彈性和非單生散射過程，激發固體樣品產生多種物理信號，如二次電子、背散射電子、吸收電子、X射線、俄歇電子等。SEM中的三種主要信號：背散射電子：入射電子在樣品中經散射后再從上表面射出來的電子。反映樣品表面不同取向、不同平均原子量的區域差別。二次電子：由樣品中原子外殼層釋放出來，在掃描電子顯微術中反映樣品上表面的形貌特征。x射線：入射電子在樣品原子激...

任何物質的光譜產生都有著嚴格的物理機制。分子的能量由電子能量、振動能量和轉動能量組成。根據理論計算，振動能級之間的能量差在0.25~1.0eV之間時，光譜產生在近中紅外區。在0.4~1.3um范圍內，主要取決于礦物晶格結構中存在的鐵等過渡性金屬元素；1.3～2.5um范圍內的光譜特性是由礦物中的碳酸根離子、氫氧根離子和水分子決定的；3~5um光譜范圍的中遠紅外波段光譜由Si-O、Al-O等分子鍵振動模式決定。在對巖礦光譜進行定量分析時，根據礦物的吸收特征，為每種礦物建立起綜合...

臺式電鏡是一個復雜的系統，濃縮了電子光學技術、真空技術、精細機械結構以及現代計算機控制等技術。是在加速高壓作用下將電子槍發射的電子經過多級電磁透鏡匯集成細小（直徑一般為1~5nm）的電子束（相應束流為10-11~10-12A）。在末級透鏡上方掃描線圈的作用下，使電子束在試樣表面做光柵掃描（行掃+幀掃）。入射電子與試樣相互作用會產生二次電子、背散射電子、X射線等各種信息。這些信息的二維強度分布隨著試樣表面的特征而變化（這些特征有表面形貌、成分、晶體取向、電磁特性等等），將各種探...

鎢燈絲電鏡的低壓性能與與臺式電子顯微鏡不兼容的更多樣品*兼容。其低電壓性能非常有限，并且不能與大多數非導電樣品兼容。蔡司傳統的鎢絲掃描電子顯微鏡的加速電壓為0.2-30kV，電子束電流范圍為0.5pA-5uA。它的低電壓性能遠遠超過臺式電子顯微鏡，并且具有低真空模式。它與導電樣品，非導電樣品和電子束*兼容。輻射敏感樣品，含水或除氣的樣品等。同時，獲取樣品的表面信息(無論是表面成像還是能譜)，可以為您顯示清晰樣品表面細節。燈絲是臺式掃描電鏡（SEM）重要的模塊之一。它的目的是提...

鎢燈絲電鏡剛到手時表面可能吸附一定量的空氣、水汽，當它被安裝到電鏡鏡筒里時，會從燈絲表面緩緩釋放，影響鏡筒的真空度，腐蝕燈絲。因此，新燈絲在更換前要先經過“去潮、去氣”處理，可在45℃電熱箱內放置數小時，然后放入透射電鏡底片抽氣室預抽氣數小時以除去新燈絲上吸附的殘余空氣和水汽。如何延長鎢燈絲電鏡的使用壽命，主要有以下措施：1.準確對中燈絲安裝、更換新燈絲時仍需檢查燈絲的對中情況，建議將安裝好的燈絲組件放在解剖鏡下再檢查一下，看燈絲是否居中，否則很容易導致燈絲亮度偏暗，而由此操...